رابط : PCIe Gen4x4(NVMe1.3)
مقاومت در برابر ضربه :
مقاومت در برابر شوک و لرزش :
مقاومت در برابر گرد و غبار :
ضد خش :
سرعت خواندن اطلاعات : بیش از5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات : بیش از 4400 مگابایت بر ثانیه
پشتیبانی از RAID :
پشتیبانس از TRIM :
قابلیت پشتیبانی از NCQ :
فرم فاکتور : m.2 2280
ظرفیت : 512 گیگابایت
عمر مفید دستگاه : 1,770,000 ساعت
ولتاژ عملیاتی : 6.6W
سایر قابلیت ها : New Generation 3D NAND Flash TRIM & S.M.A.R.T supported دارای هیت سینک مسی و 16 درصد خنک تر نسبت به حالت بدون هیت سینک